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測(cè)試技術(shù)協(xié)議(3份范本)

更新時(shí)間:2024-11-20 查看人數(shù):28

測(cè)試技術(shù)協(xié)議

第1篇 測(cè)試技術(shù)協(xié)議

測(cè)試技術(shù)協(xié)議

上海集成電路設(shè)計(jì)研究中心(甲方)和xxxxxxxxxxxxx公司(乙方)經(jīng)友好協(xié)商,對(duì)xxxxxxxx項(xiàng)目的有關(guān)測(cè)試技術(shù)指標(biāo)問(wèn)題達(dá)成如下協(xié)議:

一: 乙方應(yīng)在本協(xié)議簽定 天內(nèi)將芯片資料,測(cè)試碼提供給甲方。

二: 甲方在乙方提供封裝好的芯片后 天內(nèi),將測(cè)試分析結(jié)果提交給乙方。

三: 具體測(cè)試要求

甲方按乙方要求,在測(cè)試時(shí)將pa4、pa5、pa6、pa7端經(jīng)3.3k電阻上拉至5伏。

甲方在測(cè)試分析時(shí),應(yīng)讓xxxx芯片工作在5v。

乙方提供xxxx功能測(cè)試碼文件(txt格式)兩份。

甲方使用乙方提供的功能測(cè)試碼文件,在1mhz下對(duì)樣品進(jìn)行測(cè)試分析。

乙方認(rèn)為正常情況下,樣品的功能測(cè)試應(yīng)全部通過(guò),參數(shù)測(cè)試結(jié)果應(yīng)在下表給定的范圍內(nèi)。

測(cè)試參數(shù)(常溫) 測(cè)試條件 最大值 典型值 最大值 單位

靜態(tài)工作電流 vdd=5v ua

動(dòng)態(tài)工作電流 vdd=5v ua

輸入高電平電壓 vdd=5v v

輸入低電平電壓 vdd=5v v

輸入高電平電流 vdd=5v,vih=5v ua

輸入低電平電流 vdd=5v,vil=0v ua

輸出高電平電壓 vdd=5v v

輸出低電平電壓 vdd=5v v

輸出高電平電流 vdd=5v,voh=4.2v ma

輸出低電平電流 vdd=5v,vol=0.4v ma

如乙方提供的樣品中有80%滿(mǎn)足以上要求,甲方應(yīng)向乙方出具一份測(cè)試分析報(bào)告,并以附件形式(磁盤(pán)文件,txt格式)提供詳細(xì)的測(cè)試數(shù)據(jù)。

乙方若對(duì)甲方出具的測(cè)試分析報(bào)告及測(cè)試數(shù)據(jù)有任何疑問(wèn),必須在甲方測(cè)試分析工作完成之日起的兩個(gè)月內(nèi)向甲方提出。

乙方若須增加測(cè)試分析內(nèi)容,必須與甲方協(xié)商解決。

上海集成電路設(shè)計(jì)研究中心 xxxxxxxxxxxxx公司

第2篇 測(cè)試技術(shù)指標(biāo)協(xié)議

______集成電路設(shè)計(jì)研究中心(甲方)和_______公司(乙方)經(jīng)友好協(xié)商,對(duì)__________項(xiàng)目的有關(guān)測(cè)試技術(shù)指標(biāo)問(wèn)題達(dá)成如下協(xié)議:

一、乙方應(yīng)在本協(xié)議簽定_____天內(nèi)將芯片資料,測(cè)試碼提供給甲方。

二、甲方在乙方提供封裝好的芯片后_____天內(nèi),將測(cè)試分析結(jié)果提交給乙方。

三、具體測(cè)試要求:

甲方按乙方要求,在測(cè)試時(shí)將pa4、pa5、pa6、pa7端經(jīng)3.3k電阻上拉至5伏。

甲方在測(cè)試分析時(shí),應(yīng)讓______芯片工作在5v。

乙方提供____功能測(cè)試碼文件(t______t格式)兩份。

甲方使用乙方提供的功能測(cè)試碼文件,在1mhz下對(duì)樣品進(jìn)行測(cè)試分析。

乙方認(rèn)為正常情況下,樣品的功能測(cè)試應(yīng)全部通過(guò),參數(shù)測(cè)試結(jié)果應(yīng)在下表給定的范圍內(nèi)。

測(cè)試參數(shù)(常溫)測(cè)試條件最大值典型值最大值單位

靜態(tài)工作電流vdd=5vua

動(dòng)態(tài)工作電流vdd=5vua

輸入高電平電壓vdd=5vv

輸入低電平電壓vdd=5vv

輸入高電平電流vdd=5v,vih=5vua

輸入低電平電流vdd=5v,vil=0vua

輸出高電平電壓vdd=5vv

輸出低電平電壓vdd=5vv

輸出高電平電流vdd=5v,voh=4.2vma

輸出低電平電流vdd=5v,vol=0.4vma

如乙方提供的樣品中有____%滿(mǎn)足以上要求,甲方應(yīng)向乙方出具一份測(cè)試分析報(bào)告,并以附件形式(磁盤(pán)文件,t______t格式)提供詳細(xì)的測(cè)試數(shù)據(jù)。

乙方若對(duì)甲方出具的測(cè)試分析報(bào)告及測(cè)試數(shù)據(jù)有任何疑問(wèn),必須在甲方測(cè)試分析工作完成之日起的兩個(gè)月內(nèi)向甲方提出。

乙方若須增加測(cè)試分析內(nèi)容,必須與甲方協(xié)商解決。

甲方:

乙方:

簽訂地點(diǎn):_________

_________年____月____日

第3篇 測(cè)試技術(shù)指標(biāo)協(xié)議模板

______集成電路設(shè)計(jì)研究中心(甲方)和_______公司(乙方)經(jīng)友好協(xié)商,對(duì)__________項(xiàng)目的有關(guān)測(cè)試技術(shù)指標(biāo)問(wèn)題達(dá)成如下協(xié)議:

一、乙方應(yīng)在本協(xié)議簽定_____天內(nèi)將芯片資料,測(cè)試碼提供給甲方。

二、甲方在乙方提供封裝好的芯片后_____天內(nèi),將測(cè)試分析結(jié)果提交給乙方。

三、具體測(cè)試要求:

甲方按乙方要求,在測(cè)試時(shí)將pa4、pa5、pa6、pa7端經(jīng)3.3k電阻上拉至5伏。

甲方在測(cè)試分析時(shí),應(yīng)讓______芯片工作在5v。

乙方提供____功能測(cè)試碼文件(t______t格式)兩份。

甲方使用乙方提供的功能測(cè)試碼文件,在1mhz下對(duì)樣品進(jìn)行測(cè)試分析。

乙方認(rèn)為正常情況下,樣品的功能測(cè)試應(yīng)全部通過(guò),參數(shù)測(cè)試結(jié)果應(yīng)在下表給定的范圍內(nèi)。

測(cè)試參數(shù)(常溫) 測(cè)試條件 最大值 典型值 最大值 單位

靜態(tài)工作電流 vdd=5v ua

動(dòng)態(tài)工作電流 vdd=5v ua

輸入高電平電壓 vdd=5v v

輸入低電平電壓 vdd=5v v

輸入高電平電流 vdd=5v,vih=5v ua

輸入低電平電流 vdd=5v,vil=0v ua

輸出高電平電壓 vdd=5v v

輸出低電平電壓 vdd=5v v

輸出高電平電流 vdd=5v,voh=4.2v ma

輸出低電平電流 vdd=5v,vol=0.4v ma

如乙方提供的樣品中有____%滿(mǎn)足以上要求,甲方應(yīng)向乙方出具一份測(cè)試分析報(bào)告,并以附件形式(磁盤(pán)文件,t______t格式)提供詳細(xì)的測(cè)試數(shù)據(jù)。

乙方若對(duì)甲方出具的測(cè)試分析報(bào)告及測(cè)試數(shù)據(jù)有任何疑問(wèn),必須在甲方測(cè)試分析工作完成之日起的兩個(gè)月內(nèi)向甲方提出。

乙方若須增加測(cè)試分析內(nèi)容,必須與甲方協(xié)商解決。

甲方:

乙方:

測(cè)試技術(shù)協(xié)議(3份范本)

測(cè)試技術(shù)協(xié)議上海集成電路設(shè)計(jì)研究中心(甲方)和xxxxxxxxxxxxx公司(乙方)經(jīng)友好協(xié)商,對(duì)xxxxxxxx項(xiàng)目的有關(guān)測(cè)試技術(shù)指標(biāo)問(wèn)題達(dá)成如下協(xié)議:一:乙方應(yīng)在本協(xié)議簽定天內(nèi)將芯片資…
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